1757-FFLDC2/A ?Foundation Fieldbus Linking Module

1757-FFLDC4/A ?Foundation Fieldbus Linking Module

1757-PIM/A ?Pulse Input Module

1757-PLX52/A ?1757-PLX52 ProcessLogix Processor

1757-SRC1 ?Redundancy Module Cable

1757-SRM/A ?System Redundancy Module

1757-SRM/B ?System Redundancy Module

1760-L12AWA ?PICO CONTROLLER

1760-L12BWB-NC ?Pico Controller

1761-CBL-AC00 ?Micrologix Cable

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。