簡介

? ? SSD（Solid State Drives），俗稱固態(tài)硬盤，相對原來主軸旋轉(zhuǎn)，并無機械部分，主要由SSD控制器，F(xiàn)lash存儲陣列，板上DRAM（可選），以及與Host的接口（諸如SATA，SAS，PCIe等）組成。固態(tài)硬盤在接口的規(guī)范和定義、功能及使用方法上與普通硬盤的完全相同，在產(chǎn)品外形和尺寸上也完全與普通硬盤一致。

分類

? ? 根據(jù)存儲介質(zhì)，SSD可分為DRAM型的SSD和Flash的SSD?；贒RAM的SSD，采用DRAM作為存儲介質(zhì)，目前應(yīng)用范圍較窄，它仿效傳統(tǒng)硬盤的設(shè)計、可被絕大部分操作系統(tǒng)的文件系統(tǒng)工具進行卷設(shè)置和管理，并提供工業(yè)標準的PCI和FC接口用于連接主機或者服務(wù)器。另外DRAM雖然速度更快但它屬于RAM類型是不能掉電的，一旦掉電RAM內(nèi)的數(shù)據(jù)就都丟失了，所以DRAM基本不用來做SSD。

? ? 基于Flash的SSD，采用Flash芯片作為存儲介質(zhì)，也是通常所說的SSD。這種SSD固態(tài)存儲器最大的優(yōu)點就是可以移動，而且數(shù)據(jù)保護不受電源控制，能適應(yīng)于各種環(huán)境，但是使用年限不高。

? ? Flash的SSD，根據(jù)電路區(qū)別，進而分為NOR（或非）型和NAND（與非）型。NOR的讀速度比NAND稍快一些，NAND的寫入速度比NOR快很多，NAND的4ms擦除速度遠比NOR的快。

? ? NAND又分為SLC、MLC、TLC。

? ? SLC全稱單層式儲存(Single Level Cell)，是指一個Block(塊，F(xiàn)lash的基本存儲單元，也可稱為Cell)只有兩種電荷值，高低不同的電荷值表明0或者1，因為只需要一組高低電壓就可以區(qū)分出0或者1信號，所以SLC最大的驅(qū)動電壓可以做到很低，傳統(tǒng)的雙電壓卡或者低電壓版本卡片肯定采用SLC類型的NAND Flash芯片。SLC因為結(jié)構(gòu)簡單，在寫入數(shù)據(jù)時電壓變化的區(qū)間小，所以壽命較長，傳統(tǒng)的SLC Flash可以經(jīng)受10萬次的讀寫，因此出現(xiàn)壞Block的幾率較小，因為存儲結(jié)構(gòu)非常簡單，一組電壓即可驅(qū)動，所以其速度表現(xiàn)更好，目前所有的超高速卡都采用SLC類型的Flash芯片。

? ? MLC(多層式儲存—Multi Leveled Cell)是種充分利用Block的技術(shù)，它采用較高的電壓驅(qū)動，通過不同級別的電壓在一個Block中記錄兩組位信息(00、01、11、10)，這樣就可以將原本SLC的記錄密度理論提升一倍。不過MLC除了同制程、同晶圓面積時理論大一倍的記錄空間外，存在一些先天的弊端，比如說電壓區(qū)間更小，F(xiàn)lash就需要更多的CRC校驗空間，這會大概占據(jù)Block中10%的空間，因此實際使用中同制程同晶圓面積的MLC的容量不到SLC的一倍。

? ? 因為電壓變化更頻繁，所以MLC技術(shù)的Flash在壽命方面遠劣于SLC，官方給出的可擦寫次數(shù)僅為1萬次，這是MLC最要命的一個缺點。MLC技術(shù)的Flash還有一個缺點，它的讀寫速度先天不如SLC，一個Block存儲兩組位數(shù)據(jù)，自然需要更長的時間，這里面還有電壓控制、CRC寫入方式等因素需要考慮。

? ? TLC 三階存儲單元（Triple-LevelCell，TLC），每個存儲單元內(nèi)可以存儲3個Bit。由于每個單元可以存儲更多的數(shù)據(jù)，TLC的成本進一步降低，但是隨之而來的是寫入速度和耐久度的再次降低。當然，現(xiàn)在市場上也有唯一一個采用TLC的SSD：三星的840，當然官方標注其P/E只有1K次。

基本原理

? ? SSD主控通過若干通道并行操作多塊Flash顆粒，類似Raid0，大大提高底層帶寬。

? ? 例：假設(shè)主控與Flash顆粒之間有8個通道，每個通道掛在了一個閃存顆粒，Host與Flash之間數(shù)據(jù)傳輸速率為200M/s，閃存顆粒大小為8kb，F(xiàn)lash page的讀取時間為Tr=50us，平均寫入時間為Tp=800us，8kb的數(shù)據(jù)傳輸時間為Tx=40us。

? ? 則，底層讀取最大帶寬為：（8KB/(50us+40us)）*8 = 711MB/s；寫入最大帶寬為：(8KB/(800us+40us))*8 = 76MB/s；

? ? 從上可以看出，要提高底層帶寬，可以增加底層并行的顆粒數(shù)目，也可以選擇速度快的Flash顆粒。

? ? 以8通道為例，來講講HOST怎么讀寫SSD。主控通過8通道連接8個Flash DIE，為方便解釋，這里只畫了每個DIE里的一個Block，其中每個小方塊表示一個Page （假設(shè)大小為4KB）。

? ? HOST寫入4KB數(shù)據(jù)：

? ? HOST繼續(xù)寫入16KB數(shù)據(jù)：

? ? HOST繼續(xù)寫入，最后整個Block都寫滿：

? ? SSD內(nèi)部尋址方式有別于HDD，下面先介紹一下尋址方式的區(qū)別。

? ? LBA，全稱為Logical Block Address， LBA，全稱為Logical Block Address，是PC數(shù)據(jù)存儲裝置上用來表示數(shù)據(jù)所在位置的通用機制，我們最常見到使用它的裝置就是硬盤。LBA可以指某個數(shù)據(jù)區(qū)塊的地址或者某個地址上所指向的數(shù)據(jù)區(qū)塊。打個比方來說，LBA就等于我們平常使用的門牌地址（如：中華人民共和國廣東省廣州市中山四路26號）。

? ? PBA全稱為 Physics Block Address PBA全稱為 Physics Block Address，相對于LBA來說，它就如GPS定位所使用的經(jīng)緯度（如上面地址的經(jīng)緯度為：東經(jīng):113°16′40.0621″，北緯:23°07′ 37.6129″）。

? ? 在HDD上，由于HDD的數(shù)據(jù)可以直接覆蓋，所以LBA和PBA的關(guān)系是一一對應(yīng)，不會變更，即LBA=PBA。但在SSD上，這種關(guān)系就變得復(fù)雜了，原因是SSD使用的存儲介質(zhì)NAND閃存需要先擦除才能再寫入，即讀寫以頁為單位，擦除以塊（多個頁組成）為單位的特性，導致LBA和 PBA的關(guān)系不再是固定不變的。因此SSD就需要一層叫做FTL（Flash translation layer）的東西來作轉(zhuǎn)換，以配合現(xiàn)有的文件系統(tǒng)。

? ? 閃存的讀寫單位為頁，而頁的大小一般為4KB或8KB，但我們的操作系統(tǒng)讀寫數(shù)據(jù)是按HDD的扇區(qū)尺寸進行的（512Byte），更麻煩的是閃存擦除以塊作單位，而且未擦除就無法寫入，這導致操作系統(tǒng)現(xiàn)在使用的文件系統(tǒng)根本無法管理SSD，需要更換更先進、復(fù)雜的文件去解決這個問題， 但這樣就會加重操作系統(tǒng)的負擔。而為了不加重操作系統(tǒng)的負擔，SSD采用軟件的方式把閃存的操作虛擬成磁盤的獨立扇區(qū)操作，這就是FTL。因FTL存在于文件系統(tǒng)和物理介質(zhì)（閃存）之間，操作系統(tǒng)只需跟原來一樣操作LBA即可，而LBA到PBA的所有轉(zhuǎn)換工作，就全交由FTL負責.

? 回到之前的問題，當所有Channel上的Block都寫滿的時候，SSD主控會挑選下一個Block以同樣的方式繼續(xù)寫入.Host通過LBA訪問SSD，每個LBA代表著一個Sector（一般為512B大?。?，操作系統(tǒng)一般以4K為單位訪問SSD，我們把Host訪問SSD的基本單元叫用戶頁（Host Page）。而在SSD內(nèi)部，SSD主控與Flash之間是Flash Page為基本單元訪問Flash的，我們稱Flash Page為物理頁（Physical Page）。Host每寫入一個Host Page, SSD主控會通過FTL找一個Physical Page把Host數(shù)據(jù)寫入，同時記錄了這樣一條映射（Map），并把這個頁上包含的“舊數(shù)據(jù)”標記為“無效”（更新后的數(shù)據(jù)已經(jīng)寫入新的PBA，舊地址的數(shù)據(jù)自然就失效了）。有了這樣一個映射關(guān)系后，下次HOST需要讀某個Host Page 時，SSD就知道從Flash的哪個位置把數(shù)據(jù)讀取上來。

? ? SSD內(nèi)部維護了一張映射表（Map Table），Host每寫入一個Host Page，就會產(chǎn)生一個新的映射關(guān)系，這個映射關(guān)系會加入（第一次寫）或者更改（覆蓋寫）Map Table；當讀取某個Host Page時， SSD首先查找Map Table中該Host Page對應(yīng)的Physical Page，然后再訪問Flash讀取相應(yīng)的Host數(shù)據(jù)。

? ? 一張Map Table有多大呢？這里假設(shè)我們有一個256GB的SSD，以4KB Host Page為例，那么一共有約 64M（256GB/4KB）個Host Page，也就意味著SSD需要有64M大小的Map Table。Map Table中的每個Entry存儲的就是物理地址（Physical Page Address），假設(shè)其為4Byte (32 bits) ，那么整個Map Table的大小為64M*4B = 256MB。

? ? 對絕大多數(shù)SSD，我們可以看到上面都有板載DRAM，其主要作用就是用來存儲這張映射表。也有例外，比如基于Sandforce主控的SSD，它并不支持板載DRAM，那么它的映射表存在哪里呢？SSD工作時，它的絕大部分映射是存儲在Flash里面，還有一部分存儲在片上RAM上。當Host需要讀取一筆數(shù)據(jù)時，對有板載DRAM的SSD來說，只要查找DRAM當中的映射表，獲取到物理地址后訪問FLASH從而得到HOST數(shù)據(jù).這期間只需要訪問一次Flash；而對Sandforce的SSD來說，它首先看看該Host Page對應(yīng)的映射關(guān)系是否在RAM內(nèi)，如果在，那好辦，直接根據(jù)映射關(guān)系讀取Flash；如果該映射關(guān)系不在RAM內(nèi)，那么它首先需要把映射關(guān)系從FLASH里面讀取出來，然后再根據(jù)這個映射關(guān)系讀取Host數(shù)據(jù)，這就意味著相比有DRAM的SSD，它需要讀取兩次FLASH才能把HOST數(shù)據(jù)讀取出來，底層有效帶寬減半。對HOST隨機讀來說，由于片上RAM有限，映射關(guān)系Cache命中(映射關(guān)系在片上RAM)的概率很小，所以對它來說，基本每次讀都需要訪問兩次Flash，所以我們可以看到基于Sandforce主控的SSD隨機讀取性能是不太理想的。

? ? 繼續(xù)回到之前的SSD寫操作。當整個SSD寫滿后，從用戶角度來看，如果想寫入新的數(shù)據(jù)，則必須刪除一些數(shù)據(jù)，然后騰出空間再寫。用戶在刪除和寫入數(shù)據(jù)的過程中，會導致一些Block里面的數(shù)據(jù)變無效或者變老。如下圖所示（綠色小方塊代表有效數(shù)據(jù)，紅色小方塊代表無效數(shù)據(jù)）：

? ? Block中的數(shù)據(jù)變老或者無效，是指沒有任何映射關(guān)系指向它們，用戶不會訪問到這些FLASH空間，它們被新的映射關(guān)系所取代。比如有一個Host Page A，開始它存儲在FLASH空間的X,映射關(guān)系為A->X。后來，HOST重寫了該Host Page，由于FLASH不能覆蓋寫，SSD內(nèi)部必須尋找一個沒有寫過的位置寫入新的數(shù)據(jù)，假設(shè)為Y，這個時候新的映射關(guān)系建立：A->Y，之前的映射關(guān)系解除，位置X上的數(shù)據(jù)變老失效，我們把這些數(shù)據(jù)叫垃圾數(shù)據(jù)。

? ? 隨著HOST的持續(xù)寫入，F(xiàn)LASH存儲空間慢慢變小，直到耗盡。如果不及時清除這些垃圾數(shù)據(jù)，HOST就無法寫入。SSD內(nèi)部都有垃圾回收機制，它的基本原理是把幾個Block中的有效數(shù)據(jù)（非垃圾數(shù)據(jù)，上圖中的綠色小方塊表示的）集中搬到一個新的Block上面去，然后再把這幾個Block擦除掉，這樣就產(chǎn)生新的可用Block了。

? ? 上圖中，Block x上面有效數(shù)據(jù)為A,B,C，Block y上面有效數(shù)據(jù)為D,E,F,G，紅色方塊為無效數(shù)據(jù)。垃圾回收機制就是先找一個未寫過的可用Block z，然后把Block x和Block y的有效數(shù)據(jù)搬移到Block z上面去，這樣Block x和Block y上面就沒有任何有效數(shù)據(jù)，可以擦除變成兩個可用的Block。

? ? 垃圾回收又分為后臺GC和主動GC。

? ? 后臺垃圾收集算法（也稱為閑置垃圾收集），該控制器會使用空閑的時間來做垃圾收集，讓主控在使用時一直保持高性能。例如barefoot主控. 在空閑的時候進行GC.以提高SSD性能. 在空閑的時候進行GC.以提高SSD性能。

? ? 主動GC需要有相當性能的主控制器，以保證在操作數(shù)據(jù)的同時進行GC操作 在操作數(shù)據(jù)的同時進行GC操作，這類GC適合在服務(wù)器里用到，因為個人用戶可以把電腦閑置了做GC，但是服務(wù)器可不行，所以要保證性能的話必須在運行的同時做GC，這對主控制器的性能提出了很高的要求，SandForce與Marvell BJP2的主控就是這類。

? ? 一塊剛買的SSD，你會發(fā)現(xiàn)寫入速度很快，那是因為一開始總能找到可用的Block來進行寫入。但是，隨著你對SSD的使用，你會發(fā)現(xiàn)它會變慢。原因就在于SSD寫滿后，當你需要寫入新的數(shù)據(jù)，往往需要做上述的垃圾回收：把若干個Block上面的有效數(shù)據(jù)搬移到某個Block，然后擦掉原先的Block，然后再把你的Host數(shù)據(jù)寫入。這比最初單純的找個可用的Block來寫耗時多了，所以速度變慢也就可以理解了。

? ? 還是以上圖為例。假設(shè)HOST要寫入4KB數(shù)據(jù) (H) ，由于當前可用Block過少，SSD開始做垃圾回收。從上圖可以看出，對Block x來說，它需要把Page A,B,C的數(shù)據(jù)讀出并寫入到Block z，然后Block x擦除用于HOST數(shù)據(jù)寫入。從Host角度，它只寫了4KB數(shù)據(jù)，但從SSD內(nèi)部來說，它實際寫入了4個Page（Page A, B, C寫入Block z，4KB數(shù)據(jù)H寫入到Block x）。

寫入放大

? ? 2008年，Intel公司和SiliconSystems公司（2009 年被西部數(shù)字收購）第一次提出了寫入放大（Write Application）并在公開稿件里用到這個術(shù)語。

? ? 在上面例子中，Host寫了4KB數(shù)據(jù)，閃存寫了4個4KB數(shù)據(jù)，所以上面例子中寫放大為4。對空盤來說，寫放大一般為1，即Host寫入多少數(shù)據(jù)，寫入Flash也是多少數(shù)據(jù)量。在Sandforce控制器出來之前，寫放大最小值為1。但是由于Sandforce內(nèi)部具有壓縮模塊，它能對Host寫入的數(shù)據(jù)進行實時壓縮，然后再把它們寫入到NAND。舉個例子，HOST寫入8KB數(shù)據(jù)，經(jīng)壓縮后，數(shù)據(jù)變?yōu)?KB，如果這個時候還沒有垃圾回收，那么寫放大就只有0.5。Intel之前說寫放大不可能小于1，但Sandforce打破了這個說法。

預(yù)留空間

? ? 假設(shè)一個SSD，底下所有Flash容量為256GB，開放給用戶使用也是256GB，那么問題就來了。想象一個場景，Host持續(xù)寫滿整個SSD，接著刪除一些文件，寫入新的文件數(shù)據(jù)，試問新的數(shù)據(jù)能寫入嗎？在SSD底層，如果要寫入新的數(shù)據(jù)，必須要有可用的空閑Block，但由于之前256GB空間已經(jīng)被HOST數(shù)據(jù)占用了，根本就沒有空閑Block來寫你的數(shù)據(jù)。不對，剛才不是刪了一些數(shù)據(jù)嗎？可以垃圾回收呀。不錯，但問題來了，在上面介紹垃圾回收的時候，我們需要有Block z來寫回收來的有效數(shù)據(jù)，我們這個時候連Block z都找不到，談什么垃圾回收？所以，最后是用戶寫失敗。

? ? 上面這個場景至少說明了一點，SSD內(nèi)部需要預(yù)留空間，這部分空間HOST是看不到的。這部分預(yù)留空間，不僅僅用以做垃圾回收，事實上，SSD內(nèi)部的一些系統(tǒng)數(shù)據(jù)，也需要預(yù)留空間來存儲，比如前面說到的映射表（Map Table），比如SSD固件，以及其它的一些SSD系統(tǒng)管理數(shù)據(jù)。

? ? 一般從HOST角度來看，1GB= 1,000,000,000Byte，從底層Flash角度，1GB=1*1024*1024*1024Byte。256GB FLASH 為256*2^30 Byte，而一般說的256GB SSD 容量為256*10^9 Byte，這樣，天然的有（256*2^30-256*^9）/(256*^9) = 7.37%的OP。

? ? 如果把256GB Flash容量的SSD配成240GB的，那么它的OP是多大呢？

? ? （256*2^30-240*10^9）/(240*10^9) = 14.5%

? ? 除了滿足基本的使用要求外，OP變大有什么壞處或者好處呢？壞處很顯然，用戶能使用的SSD容量變小。那么好處呢？

? ? 回到垃圾回收原理來。

? ? 再看一下這張圖?；厥誃lock x，上面有3個有效Page，需要讀寫3個Page完成整個Block的回收；而回收Block y時，則需要讀寫4個有效Page。兩者相比，顯然回收Block x比回收Block y快一些。說明一個簡單的道理：一個Block上有效的數(shù)據(jù)越少（垃圾數(shù)據(jù)越多），則回收速度越快。

? ? 256GB FLASH配成256GB的SSD （OP = 7.37%）, 意味著256*10^9的有效數(shù)據(jù)寫到 256*2^30的空間，每個Block上面的平均有效數(shù)據(jù)率可以認為是256*10^9/256*2^30 = 93.1%。

? ? 如果配成240GB的SSD，則意味著240*10^9的有效數(shù)據(jù)寫到256*2^30的空間，每個Block的平均有效數(shù)據(jù)率為240*10^9/256*2^30 = 87.3%。OP越大，每個Block平均有效數(shù)據(jù)率越小，因此我們可以得出的結(jié)論：OP越大，垃圾回收越快，寫放大越小。這就是OP大的好處。

? ? 寫放大越小，意味著寫入同樣多的Host數(shù)據(jù)，寫入到Flash中的數(shù)據(jù)越少，也就意味著Flash損耗越小。Flash都是有一定壽命的，它是用P/E數(shù) (Program/Erase Count)來衡量的。如果SSD集中對某幾個Block進行擦寫，那么這幾個Block很快就壽命耗盡。比如在用戶空間，有些數(shù)據(jù)是頻繁需要更新的，那么這些數(shù)據(jù)所在Block就需要頻繁的進行擦寫，這些Block的壽命就可能很快的耗盡。相反，有些數(shù)據(jù)用戶是很少更新的，比如一些只讀文件，那么這些數(shù)據(jù)所在的Block擦寫的次數(shù)就很少。隨著用戶對SSD的使用，就會形成一些Block有很高的PE數(shù)，而有些Block的PE數(shù)卻很低的。這不是我們想看到的，我們希望所有Block的PE數(shù)都應(yīng)該差不多，就是這些Block被均衡的使用。在SSD內(nèi)部，有一種叫磨損平衡（Wear Leveling，WL）的機制來保證這點。

磨損平衡（Wear Leveling，WL）

? ? Wear leveling也是SSD內(nèi)部的FTL實現(xiàn)的，它通過數(shù)據(jù)遷移來達到均衡損耗的目的。Wear leveling依賴于SSD中的一部分保留空間，基本原理是在SSD中設(shè)置了兩個block pool，一個是free block pool（空閑池），一個是數(shù)據(jù)池（data block pool），當需要改寫某個page時（如果寫入原有位置，必須先擦除整個block，然后才能寫入數(shù)據(jù)），并不寫入原有位置（不需要擦除的動作），而是從空閑池中取出新的block，將現(xiàn)有的數(shù)據(jù)和需要改寫的數(shù)據(jù)合并為新的block，一起寫入新的空白block，原有的block被標識為invalid狀態(tài)（等待被擦除回收），新的block則進入數(shù)據(jù)池。后臺任務(wù)會定時從data block中取出無效數(shù)據(jù)的block，擦除后回收到空閑池中。這樣做的好處在于，一是不會反復(fù)擦寫同一個block，二是寫入的速度會比較快(省略了擦除的動作)。

? ? WL有兩種算法：動態(tài)WL和靜態(tài)WL。所謂動態(tài)WL，就是在使用Block進行擦寫操作的時候，優(yōu)先挑選PE 數(shù)低的；所謂靜態(tài)WL，就是把長期沒有修改的老數(shù)據(jù)（如前面提到的只讀文件數(shù)據(jù)）從PE數(shù)低的Block當中搬出來，然后找個PE 數(shù)高的Block進行存放，這樣，之前低PE數(shù)的Block就能拿出來使用。

? ? 下面這張圖詮釋了無WL，動態(tài)WL和靜態(tài)WL下的FLASH耐久度的區(qū)別 （假設(shè)每個Block最大PE數(shù)為10,000）：（圖片來自http://www.pceva.com.cn/topic/crucialssd/images/6/006.jpg）

? ? 可見，使不使用WL，以及使用何種WL算法，對SSD的壽命影響是很大的。

SSD性能指標采集

? ? 既然SSD壽命是有限的， 監(jiān)控磨損率等性能指標很有必要。收集SSD的信息前，首先要了解Raid信息。市場上比較常用的服務(wù)器，諸如DELL、Lenovo等，可用MegaCli查看Raid磁盤陣列信息。

? ? 查看Raid信息：MegaCli -AdpAllInfo -aALL

? ? 查看硬盤信息：MegaCli -PDList -aALL?

? ? 得到SSD的基礎(chǔ)信息后，可使用smartctl，進一步獲取SSD的詳細狀態(tài)參數(shù)。smartctr需要兩個參數(shù)，一個是device_id，已經(jīng)在MegaCLI中獲取到，另一個參數(shù)是raid生成的設(shè)備，可在dmesg看到。有個這兩個參數(shù)后，就可以查看SSD的運行狀態(tài)了。

? ? 假設(shè)我們的device id是10，SSD在/dev/sda，那么可以用下面的命令查看具體信息：smartctl -a -d sat+megaraid,10 /dev/sda，結(jié)果如下圖。

? ? 輸出結(jié)果中，Media_Wearout_Indicator一項就是我們最關(guān)心的SSD的磨損率，另外還記錄了一些其他狀態(tài)參數(shù)，在這里不再贅述。

? ? 市面上的主流服務(wù)器中，HP是獨樹一幟的，MegaCli在這類品牌的機器上不好用。HP有自帶的工具hpssacli，記錄的信息比MegaCli要詳細一點，可以使用hpssacli ctrl slot=0 show config detail命令來查看slot 0的詳細信息。

? ? 輸出的結(jié)果中，Bay - 1就是我們上面使用的device id。之后，同樣的使用smartctl查看SSD的詳細信息：

? smartctl -a -d cciss, 0 /dev/sda

? ? 結(jié)果如下圖，其中Media_Wearout_Indicator就是我們想要的結(jié)果。

IO調(diào)度算法

? ? 傳統(tǒng)的IO調(diào)度算法中，大多數(shù)是針對于HDD的尋道時間進行優(yōu)化，而SSD沒有尋道時間，所以對IO調(diào)度的算法有所側(cè)重。常見的IO調(diào)度算法中，最適合SSD是最簡單的NOOP。NOOP實現(xiàn)了最最簡單的FIFO隊列，所有IO請求大致按照先來后到的順序進行操作，在FIFO的基礎(chǔ)上還做了相鄰IO請求的合并。反觀CFQ、AS、DeadLine等算法，雖然各有所長，但論綜合能力來看，NOOP還是勝出的。