存儲器分為內(nèi)存（易失性存儲器）和外存（非易失性存儲器）

內(nèi)存：SRAM和DRAM

SRAM，靜態(tài)RAM。每個單元由6個晶體管組成，用于CPU和GPU緩存；

DRAM，動態(tài)RAM。每個單元由1個晶體管組成，用于內(nèi)存條；

寄存器（SRAM）

內(nèi)核的控制部件（CU）中，含指令寄存器(IR)和程序計數(shù)器(PC)；

內(nèi)核的算術及邏輯部件（ALU）中，累加器(ACC)

高速緩存Cache（SRAM）

L1 Cache：每個內(nèi)核獨享，KB級；

L2 Cache：可能每個內(nèi)獨享，可能多個內(nèi)核共享，MB級；

L3 Cache：共享，MB級；

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緩存不在CPU內(nèi)核。

參考：https://blog.csdn.net/hellojoy/article/details/54744231

Cache運作機制

系統(tǒng)開機時，Cache中無內(nèi)容。當CPU送出一組地址去訪問內(nèi)存時，被訪問的內(nèi)存的內(nèi)容才被同時“拷貝”到Cache中。此后，每當CPU訪問內(nèi)存時，Cache 控制器要檢查CPU送出的地址，判別CPU要訪問的地址單元是否在Cache 中。若在，稱為Cache 命中，CPU可用極快的速度對它進行讀/寫操作；若不在，則稱為Cache未命中，這時就需要從內(nèi)存中訪問，并把與本次訪問相鄰近的存儲區(qū)內(nèi)容復制到Cache 中。未命中時對內(nèi)存訪問可能比訪問無Cache 的內(nèi)存要插入更多的等待周期，反而會降低系統(tǒng)的效率。而程序中的調用和跳轉等指令，會造成非區(qū)域性操作，則會使命中率降低。因此，提高命中率是Cache 設計的主要目標。

內(nèi)存DRAM

外存：ROM/NVRAM/機械式

ROM

只讀Memory，PROM/EPROM/EEPROM

NV-RAM（Non-volatile）

非易失性RAM。包括閃存Flash Memory和固態(tài)存儲SSD/U盤

機械式，HDD硬盤，光驅和磁帶。

Flash Memory

NOR型閃存更像內(nèi)存，有獨立的地址線和數(shù)據(jù)線，但價格比較貴，容量比較??；

NAND型更像硬盤，地址線和數(shù)據(jù)線是共用的I/O線.類似硬盤的所有信息都通過一條硬盤線傳送。

U盤（NV-RAM）

U盤機芯=USB接口芯片/晶振+USB主控芯片（單片機+固件）+FLASH（閃存）芯片

參考：https://zhidao.baidu.com/question/1753674234503877148.htmlusb固件程序指的什么

參考：https://blog.csdn.net/jazzsoldier/article/details/70291708USB芯片選型

SSD固態(tài)硬盤（NV-RAM）

SSD=SSD接口芯片/晶振+SSD主控芯片/固件+NAND閃存；

參考：https://blog.csdn.net/lyon_yong/article/details/79178794SSD固態(tài)硬盤的結構和基本工作原理概述

參考：http://news.mydrivers.com/1/567/567004.htm干貨！史上最全SSD科普貼：秒變老鳥

機械式

HDD固態(tài)硬盤

參考：https://zh.wikipedia.org/wiki/%E9%9B%BB%E8%85%A6%E8%A8%98%E6%86%B6%E9%AB%94