存儲器是用來存儲程序代碼和數(shù)據(jù)的部件，有了存儲器計(jì)算機(jī)才具有記憶功能。

1.存儲器種類

???????? 存儲器按存儲介質(zhì)特性主要分為：易失性存儲器和非易失性存儲器。易失是指存儲器掉電后，存儲器的數(shù)據(jù)是否會丟失。

?? 2.易失存儲器

RAM（Random Access Memory隨機(jī)存儲器）：存儲器中的消息被讀取或?qū)懭霑r(shí)，所需要的時(shí)間與這段信息所在的位置無關(guān)。

DRAM（Dynamic RAM動態(tài)隨機(jī)存儲器）：存儲單元以電容的電荷來表示數(shù)據(jù)，有電荷表示1，無電荷表示0，但時(shí)間一長，代表1的電容會放電，代表0的電容會吸收電荷，因此他需要定期刷新操作，這就是動態(tài)特性。

SDRAM（Synchronous DRAM同步動態(tài)隨機(jī)存儲器）：根據(jù)通訊方式，DRAM分為同步和異步兩種，即是否需要時(shí)鐘信號（只在上升沿表示有效數(shù)據(jù)），同步的通訊速度快，被稱作SDRAM。

DDR? SDRAM（Double Date? Rate SDRAM高速動態(tài)隨機(jī)存儲器）：通訊速度高的動態(tài)隨機(jī)存儲器，時(shí)鐘信號的上升沿和下降沿各表示一個(gè)數(shù)據(jù)。

SRAM(Static RAM靜態(tài)隨機(jī)存儲器)：存儲器以鎖存器來存儲數(shù)據(jù)，只要不斷電數(shù)據(jù)一直在。

ROM(Read Only Memory? 只讀存儲器)：現(xiàn)在并非只讀，可讀可寫，掉電數(shù)據(jù)依然在。

MASK ROM（掩膜存儲器）：出局出廠就固化了，只能讀，不可寫。

OTPROM（One Time Programable? ROM 一次可編程存儲器）：出廠時(shí)里面沒有數(shù)據(jù)，用戶用專門的編程器將數(shù)據(jù)寫入，只能寫一次，往后不能再修改。

EPROM（Erasable Programable ROM 可重復(fù)擦寫的存儲器）：寫入和擦除都要專用的設(shè)備，已經(jīng)基本淘汰。

EEPROM（Electrically? Erasable Programable ROM? 電可擦除存儲器）：可以重復(fù)擦寫，寫入和擦除都是直接使用電路控制，按字節(jié)為單位修改數(shù)據(jù)，無需整個(gè)芯片擦除。

FLASH存儲器（閃存）：可以重復(fù)擦寫的存儲器，以多個(gè)字節(jié)為單位擦除，最小擦除單位為扇區(qū)。

NOR?? FLASH? :數(shù)據(jù)寫入前需要有擦除操作，地址線和數(shù)據(jù)線分開，可以按字節(jié)操作；支持XIP

（立即執(zhí)行特性）

NAND FLASH :數(shù)據(jù)寫入前需要有擦除操作，地址線和數(shù)據(jù)線共用，只能按塊操作；不支持XIP；