硬盤SAS與SATA接口的區(qū)別
SAS(Serial Attached SCSI)即串行連接SCSI，是新一代的SCSI技術(shù)，和現(xiàn)在流行的Serial ATA(SATA)硬盤相同，都是采用串行技術(shù)以獲得更高的傳輸速度，并通過縮短連結(jié)線改善內(nèi)部空間等。SAS是并行SCSI接口之后開發(fā)出的全新接口。此接口的設(shè)計(jì)是為了改善存儲系統(tǒng)的效能、可用性和擴(kuò)充性，并且提供與SATA硬盤的兼容性。
RAID(磁盤陣列)基本知識
簡單來說，RAID把多個(gè)硬盤組合成為一個(gè)邏輯扇區(qū)，因此，操作系統(tǒng)只會把它當(dāng)作一個(gè)硬盤。RAID常被用在服務(wù)器電腦上，并且常使用完全相同的硬盤作為組合。
各種RAID卡的區(qū)別。
RAM(內(nèi)存)知識
電腦兩根內(nèi)存條的大小和頻率都不一樣，只要都是同一代的內(nèi)存就可以一起混用，比如都是DDR3的內(nèi)存。但是頻率高的內(nèi)存會降為頻率低的組成雙通道，比如1根為2G DDR3 1333，另一條為4G DDR3 1600，則DDR3 1600會降為1333使用，但總內(nèi)存不變，為6G。
雙通道，就是在北橋（又稱之為MCH）芯片級里設(shè)計(jì)兩個(gè)內(nèi)存控制器，這兩個(gè)內(nèi)存控制器可相互獨(dú)立工作，每個(gè)控制器控制一個(gè)內(nèi)存通道。在這兩個(gè)內(nèi)存通過CPU可分別尋址、讀取數(shù)據(jù)，從而使內(nèi)存的帶寬增加一倍，數(shù)據(jù)存取速度也相應(yīng)增加一倍（理論上）。
內(nèi)存的主頻受主板的影響，若主板的主頻低于內(nèi)存條主頻，則按主板主頻算，如DDR4 2400 但是主板只支持2133，則內(nèi)存主頻也降為2133，超頻則另算。
cpu基本知識
基本參數(shù)含義：
CPU系列 Xeon E5-2620 v4系列
制作工藝 14納米
核心代號 Broadwell
核心數(shù)量 八核心
線程數(shù)量 十六線程
CPU主頻 2.1GHz
動態(tài)加速頻率 3GHz
L3緩存 20MB
總線規(guī)格 QPI 8GT/s
熱設(shè)計(jì)功耗(TDP) 85W
支持最大內(nèi)存容量 1536GB
內(nèi)存類型 DDR4 1600/1866/2133MHz
插槽類型 LGA 2011-3
封裝大小 52.5×51mm
最高容許溫度(Tcase) 74°C
最大CPU配置 2顆
睿頻加速技術(shù) 支持，2.0
超線程技術(shù) 支持
虛擬化技術(shù) Intel VT
指令集 AVX 2.0，64-bit
64位處理器 支持
其它技術(shù) 支持博銳技術(shù) ，定向I/O虛擬化技術(shù)，增強(qiáng)型SpeedStep技術(shù)，按需配電技術(shù)，溫度監(jiān)視技術(shù)，數(shù)據(jù)保護(hù)技術(shù)，平臺保護(hù)技術(shù)
集成顯卡 不支持
