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N25Q是NOR FLASH，每次寫(xiě)入數(shù)據(jù)之前，需要先進(jìn)行擦除。而且，在發(fā)送寫(xiě)數(shù)據(jù)指令之前，需要先“使能寫(xiě)”（見(jiàn)上一篇：STM32硬件基礎(chǔ)--QaudSPI總線(xiàn)讀寫(xiě)片外FLASH（二））。執(zhí)行寫(xiě)之后，還需要查詢(xún)FLASH的狀態(tài)寄存器，看看是否寫(xiě)入完畢。

完整的示例代碼的下載地址：https://github.com/haidongqing/qspi-writeflash。

第一步是擦除：

圖一

擦除之前，也需要先使能寫(xiě)。發(fā)出擦除指令后，要查詢(xún)此指令是否完成，函數(shù)?QSPI_AutoPollingMemReady() 查詢(xún)FLASH是否進(jìn)入就緒狀態(tài)：

圖二

.Match、.Mask 的值為什么是0x00和0x01呢？來(lái)看看N25Q的數(shù)據(jù)手冊(cè)中關(guān)于狀態(tài)寄存器的說(shuō)明：

圖三

需要查詢(xún)寄存器的bit0是否為0，所以屏蔽字是0x01，目標(biāo)值是0x00。

第二步：寫(xiě)入。

圖四

待寫(xiě)入的數(shù)據(jù)（字節(jié)類(lèi)型）保存在 aTxBuffer 中，長(zhǎng)度為 BUFFERSIZE，賦值給了 .NbDate 。執(zhí)行寫(xiě)入后，調(diào)用函數(shù)?QSPI_AutoPollingMemReady() 查詢(xún)FLASH是否寫(xiě)入完畢。

以上只是最簡(jiǎn)單的寫(xiě)FLASH示例，實(shí)際使用時(shí)，最重要的是要處理跨扇區(qū)寫(xiě)的問(wèn)題，即 當(dāng)BUFFERSIZE大于FLASH的扇區(qū)size時(shí)，寫(xiě)第二個(gè)扇區(qū)時(shí)，要重新設(shè)置?sCommand.Address（遞增；之后的其他扇區(qū)照此類(lèi)推），可參考ST官方的例程 -- “QSPI_ReadWrite_IT” ：

圖五

（完）