12月12日，英特爾在其“架構(gòu)日”（Architecture Day）活動上公布了10nm芯片有望明年上市。
此前，英特爾在10nm工藝制程上遇到巨大困難，以至于2015年發(fā)布Skylake架構(gòu)芯片以來，英特爾一直在14nm上小修小補，甚至英特爾可能放棄10nm計劃。
而此次，英特爾終于宣布將推出下一代Sunny Cove架構(gòu)——一種在Skylake基礎上改進、基于10nm工藝構(gòu)建的增強型微架構(gòu)。相比Skylake架構(gòu)，Sunny Cove架構(gòu)可并行執(zhí)行更多指令，延遲更低、緩存更大。基于新架構(gòu)的酷睿與至強芯片將于2019年下半年上市。
但英特爾推出的并非完全是10nm芯片，而是通過Foveros技術(shù)將不同性能、不同部分封裝在一起，僅高性能部分使用的是10nm工藝制程。
信息源：
https://mp.weixin.qq.com/s/kUcwcs6fhnFCmz_RHsjOiA
點評
雖然臺積電、三星此前已陸續(xù)推出10nm甚至7nm制程，似乎英特爾被甩在了身后；但實際上，臺積電、三星采用極紫外光刻機（EUV）走了捷徑，而英特爾選擇了繼續(xù)采用ArF DUV，原因可能是EUV實際上并未成熟，光源問題直到2017年才得到解決，而10nm的研發(fā)至少從2016年就開始了。
而且，英特爾的10nm晶體管密度就已達到1.008億每平方毫米，而臺積電的10nm只有4810萬每平方毫米，明年上市的7nm才能上億。
對于英特爾來說，雖然失去了時間上的一些先機，但突破了技術(shù)難點，之后7nm、5nm甚至3nm都可以沿用；但臺積電和三星繞過去的問題，可能在未來某一天被反噬——例如，三星把新工藝稱為8nm而不是期望中的7nm，可能多少遇到了問題。
