鎂光內存芯片醫(yī)療設備監(jiān)護儀電子IC芯片 三星美光海力士內存 MT46H128M16LFDD-48

MT46H128M16LFDD-48 IT:C 芯片規(guī)格文檔 美光經(jīng)銷商美光代理商

一、產品背景及應用MT46H128M16LFDD-48 IT:C 是美光推出的2Gb 移動 LPDDR SDRAM,采用 60 引腳 VFBGA 封裝,1.8V 核心電壓,最高 208MHz 時鐘頻率,具備低功耗、高速讀寫、緊湊封裝等特性,適用于移動終端、便攜式設備、工業(yè)手持終端、消費電子等對體積與功耗要求嚴格的場景。典型應用:

移動終端:智能手機、平板、可穿戴設備的運行內存

便攜式設備:手持 POS 機、移動醫(yī)療設備、數(shù)據(jù)采集器

消費電子:機頂盒、智能音箱、數(shù)碼相框的程序與數(shù)據(jù)緩存

工業(yè)設備:工業(yè)手持終端、物聯(lián)網(wǎng)網(wǎng)關的運行內存

其他:車載輔助設備、電池供電設備的低功耗存儲

MT46H128M16LFDD-48 IT:C存儲閃存芯片參數(shù) Micron鎂光芯片代理商?

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二、主要規(guī)格(18 條)

制造商:Micron(美光科技)

產品系列:MT46H LPDDR SDRAM

存儲容量:2Gb(128M×16bit)

內存類型:移動 LPDDR SDRAM(易失性動態(tài)隨機存儲器)

數(shù)據(jù)位寬:16bit(x16)

最高時鐘頻率:208MHz

周期時間:5ns

訪問時間:5ns

工作電壓:VDD/VDDQ=1.7V–1.95V(標稱 1.8V)

內部 Bank:4 個獨立 Bank

封裝類型:60 引腳 VFBGA(8×9)

工作溫度:-40℃~+85℃(工業(yè)級,IT 標識)

濕氣敏感等級:MSL 3(開封后 168 小時內焊接)

包裝規(guī)格:托盤(Tray),適配自動化生產

數(shù)據(jù)掩碼:支持 DM 數(shù)據(jù)掩碼,提升寫操作靈活性

差分時鐘:CK/CK# 差分輸入,提升信號完整性

低功耗:支持自刷新與休眠模式,降低待機功耗

無鉛環(huán)保:符合 RoHS 標準,無鹵素

三、封裝與安裝

封裝類型:60 引腳 VFBGA(8×9),無鉛環(huán)保封裝,球間距 0.5mm,尺寸緊湊

安裝方式:SMT 表面貼裝,支持無鉛回流焊,適配自動化貼片產線

關鍵引腳:差分時鐘(CK、CK#)、數(shù)據(jù)總線(DQ0–DQ15)、數(shù)據(jù)掩碼(DM)、電源(VDD、VDDQ)、地(VSS)

PCB 設計要點:電源 / 地平面完整,VDD/VDDQ 就近去耦(0.1μF+10μF 電容并聯(lián));時鐘與數(shù)據(jù)信號等長、阻抗控制 50Ω,減少串擾與反射;移動場景增加 ESD/EMI 防護

防潮要求:MSL 3 級,開封后 168 小時內完成焊接,未使用器件密封防潮存儲

焊接建議:無鉛回流焊,峰值溫度≤260℃,滿足工業(yè)級焊接標準

四、工作環(huán)境

工作溫度:-40℃ ≤ TA ≤ +85℃(工業(yè)級常溫范圍)

存儲溫度:-65℃~+150℃

工作電壓:VDD/VDDQ=1.7V–1.95V,電壓穩(wěn)定度 ±5%

濕度范圍:5%~95% RH,非凝露條件下工作

靜電防護:符合 JEDEC 標準,HBM±2000V,MM±200V,PCB 建議增加 ESD 保護

功耗特性:運行電流≤130mA,自刷新電流低,適配電池供電設備

五、性能優(yōu)勢

高速傳輸:208MHz 時鐘頻率,5ns 快速訪問,滿足移動與工業(yè)場景高速數(shù)據(jù)處理

低功耗設計:1.8V 核心電壓,自刷新與休眠模式大幅降低功耗

緊湊封裝:60 引腳 VFBGA 小尺寸封裝,節(jié)省 PCB 空間,適配輕薄設備

4Bank 架構:支持多任務并行處理,提升系統(tǒng)響應速度

差分信號:CK/CK# 差分傳輸,減少電磁干擾,提升信號穩(wěn)定性

數(shù)據(jù)掩碼:支持 DM 功能,靈活控制寫操作,提升數(shù)據(jù)安全性

工業(yè)級穩(wěn)定:-40℃~+85℃寬溫運行,適配多數(shù)工業(yè)與移動環(huán)境

低噪聲:差分信號設計,降低系統(tǒng)噪聲,提升整體穩(wěn)定性

六、環(huán)境與出口分類

環(huán)保合規(guī):無鉛、無鹵素,符合 RoHS 2011/65/EU、RoHS3 2015/863/EU、REACH、WEEE 指令

中國合規(guī):符合《電子信息產品污染控制管理辦法》(中國 RoHS),無 SVHC 高關注物質

有害物質:不含鎘、汞、六價鉻、PBB、PBDE 等禁用物質

出口分類:ECCN EAR99(商用級移動 LPDDR SDRAM,非管控類),出口遵循所在國家 / 地區(qū)進出口管制規(guī)定

行業(yè)標準:符合 JEDEC LPDDR SDRAM 規(guī)范、JESD47 工業(yè)級可靠性測試要求

七、總結MT46H128M16LFDD-48 IT:C 是面向移動終端、便攜式設備、工業(yè)手持終端、消費電子領域的 2Gb 工業(yè)級移動 LPDDR SDRAM,以1.8V 低功耗、208MHz 高速傳輸、-40℃~+85℃寬溫、4Bank 架構、60 引腳 VFBGA 緊湊封裝、高可靠為核心優(yōu)勢,完美適配移動與工業(yè)場景的運行內存、數(shù)據(jù)緩存、程序加載需求。該芯片為工業(yè)級量產型號,在低功耗、高速存儲場景中穩(wěn)定性突出,是中小容量移動 LPDDR 內存的優(yōu)選方案。

——轉載自 摩拜芯城 專業(yè)電子元器件批發(fā)商城 | 免費拿樣 Micron鎂光代理商?

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