1.SK海力士研發(fā)72層堆疊閃存：單顆輕松達1TB；

集微網消息，據韓國經濟報導及業(yè)界消息曾指出，SK海力士計劃于今年上半年研發(fā)72層3D NAND Flash存儲器，預定于2017年下半年在京畿道利川工廠進行量產。

如今各種設備對于NAND閃存的容量要求越來越高，迫使廠商們不得不持續(xù)改進技術，尤其是強化3D堆疊設計。從堆疊層數與儲存容量來看，若48層NAND Flash存儲器可儲存128GB，相同面積下的64層產品可儲存256GB。

2015年，SK海力士量產了第二代36層堆疊3D MLC NAND(3D-V2)，單晶粒容量128Gb(16GB)。2016年，SK海力士推出了第三代48層堆疊的3D-V3，閃存類型改成TLC，重點單晶粒容量256Gb(32GB)，而封裝芯片的容量最高可以達到4096Gb(512GB)。

2017年，我們將看到SK海力士的第四代3D-V4，驚人的72層堆疊，還是TLC，其中第二季度量產的單晶粒容量仍為256Gb，而第四季度翻番到512Gb(64GB)，這樣封裝閃存芯片的最高容量將達到8192Gb(1TB)。更重要的是，這一代閃存的區(qū)塊尺寸將從9MB增大到13.5MB，有助于提升性能。

這意味著，其實只需要兩顆芯片，就能造出2TB容量的單面M.2 SSD，而且成本更低，另一方面120/128GB等低容量產品可能會被基本放棄。

2016年8月三星電子(Samsung Electronics)宣布從第4季起量產64層3D NAND Flash存儲器，東芝(Toshiba)也加速推動64層3D NAND Flash量產，全球半導體業(yè)界展開一場堆疊層數之戰(zhàn)。

市調機構的資料顯示，2015年到2020年NAND Flash資料儲存規(guī)模年復合成長率(CAGR)將達44%，業(yè)者紛紛增加存儲器堆疊層數，兆位元的超高容量時代即將來臨。

SK海力士在產品策略上，選擇跳過64層3D NAND Flash存儲器，直接量產72層產品。但有業(yè)界人士批評，跳過64層直接生產72層3D NAND Flash存儲器，不見得一定有更高的產品競爭力，各界不應太過重視堆疊層數目；在半導體制程上以2x、2y簡稱20納米級技術，就是為了避免業(yè)者在制程進展過度競爭。

SK海力士目前已投入2.2兆韓元在韓國清州建設高科技半導體工廠，日前也進一步公開后續(xù)在韓國增建工廠的投資計劃；SK海力士也表示將在大陸無錫工廠投入1兆韓元，擴大興建無塵室及相關設備。