1.增強(qiáng)型：UGS=0時(shí)，管內(nèi)無溝道建立，加上UDS后，也無漏極電流ID。

2.N溝道：D和S極為N型半導(dǎo)體，襯底為P型半導(dǎo)體。

3.工作原理：

（1）UGS=0

管內(nèi)無溝道建立，DS之間等價(jià)于2個(gè)背對背的二極管串聯(lián)。

（2）UGS》0，UDS=0

DS之間建立反型層，即N溝道（電子）；

建成反型層時(shí)電壓為UGSth（門電壓）。

（3）UGS》UGSth，UDS》0

UDS固定情況下（小于擊穿電壓）：

UGS越大，反型層越厚，等價(jià)電阻越小，電流ID越大。

UGS固定情況下：

UDS由0增大，ID線性增大，可變電阻區(qū)（UDS增大，溝道變楔形但尚未夾斷）；

UDS繼續(xù)增大，ID幾乎不變，飽和區(qū)（溝道出現(xiàn)預(yù)夾斷，并隨UDS增大而逐漸消失）

進(jìn)入飽和區(qū)條件：UDS》UGS-UGSth或UGD《UGSth

UDS繼續(xù)增大，反型層消失，同時(shí)D端PN結(jié)被反向擊穿，ID迅速上升，NMOS損壞。

上述工作原理是對輸出特性曲線和轉(zhuǎn)移特性曲線解釋。

ID為被控量，為輸出。

4.UDS增大，為什么N溝道呈楔形？

UGS固定，UDS》0時(shí)，從S極往右，N溝道上的電位逐漸升高，柵極形成的電場強(qiáng)度減小，反型層逐漸變窄呈楔形；當(dāng)UGD《UGSth時(shí)，反型層消失，出現(xiàn)預(yù)夾斷。