上海市2022年度EDA領域“揭榜掛帥”項目申報指南的通知
各有關單位：
為深化探索創(chuàng)新攻關新機制，推進我市EDA領域關鍵技術突破，上海市科學技術委員會（以下簡稱“市科委”）按照揭榜掛帥制方式，針對相關科研攻關任務，凝練懸賞標的，特發(fā)布2022年度上海市EDA領域“揭榜掛帥”項目指南。
一、征集范圍
申報時間：2022年9月28日9:00至2022年10月20日16:30。
方向一：高層次建模和原型驗證系統(tǒng)的聯(lián)合仿真驗證方法
面向電子系統(tǒng)規(guī)約設計、分析與驗證的需求，開展系統(tǒng)架構設計方案、硬件平臺選擇、軟件與數(shù)據流規(guī)劃、硬件/軟件任務協(xié)調與劃分等方案研究。驗證系統(tǒng)、子系統(tǒng)、元件或嵌入式軟件的行為和性能的高層次建模設計及其優(yōu)化，并通過原型驗證系統(tǒng)由以太網總線或者高速串行計算機擴展接口（PCI-E）總線互聯(lián)的方式實現(xiàn)聯(lián)合仿真，實現(xiàn)對不同硬件、軟件實現(xiàn)方案進行快速的性能分析、研究與評價，在驗證和優(yōu)化系統(tǒng)設計構想后得到能夠滿足全部約束條件的最優(yōu)系統(tǒng)方案。利用電子設計自動化（EDA）達到系統(tǒng)方案的擴展升級或為新方案設計提供科學的、可重用參考依據的目標。
（一）考核指標?
1.完成系統(tǒng)的架構優(yōu)化：支持2/4/8，片上網絡（NOC）等不同數(shù)量處理器內核的配置，支持不少于2種總線類型，支持不少于2種存儲器并形成架構模型，完成性能對比測試。
2.完成功耗分析：測試不少于2種典型架構場景下吞吐率和瞬時功耗和均值功耗的測量；分析硬件、軟件、網絡、操作系統(tǒng)或者功耗失效后系統(tǒng)的響應，并完成功耗優(yōu)化報告。
3.根據實際的軟件代碼來做性能優(yōu)化、軟硬件分配（partition），占用緩存（buffer）等權衡，并完成性能優(yōu)化報告。
4.將注入現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）平臺內的真實寄存器傳輸級語言（RTL）設計通過合適的總線同該軟件構建的架構設計進行混合仿真，形成交叉驗證的混合仿真環(huán)境。并完成仿真測試報告。
5.測試以每秒500萬~8000萬個事件的速率運行，在復雜片上系統(tǒng)（SOC）模型上可每秒執(zhí)行5000~50000條指令。
6.被測試設計應至少為4億專用集成電路（ASIC）邏輯門，且能擴展到16億ASIC邏輯門的設計容量。
7.分析硬件設計的功能正確性、速率、拓撲結構；軟件設計中設計質量評估、激勵、配置和功耗對整個設計的影響。
（二）項目交付件
1.性能對比測試報告。
2.功耗優(yōu)化報告。
3.性能優(yōu)化報告。
4.混合仿真測試報告。
（三）執(zhí)行期限
2022年11月1日至2023年10月31日。
（四）擬資助經費
非定額資助，資助總經費不超過600萬。?
方向二：面向5G應用的寬禁帶氮化鎵射頻器件建模參數(shù)提取工具驗證與協(xié)同優(yōu)化
面向第五代移動通信技術（5G）及下一代移動通信技術應用，針對先進的第三代半導體氮化鎵射頻器件模型提取的創(chuàng)新流程；與目前代工廠使用的傳統(tǒng)模型提取流程和工具進行對比，驗證模型提取電子設計自動化（EDA）工具數(shù)據處理能力、測試與測量設備接口、運行效率和計算精度，對同一批次與不同批次晶圓上氮化鎵建模參數(shù)提取進行統(tǒng)計分析，協(xié)助其它EDA工具完成對氮化鎵模型協(xié)同優(yōu)化，促進氮化鎵工藝線一致性、良率與性能綜合提升。
（一）考核指標
通過先進流程與EDA工具完成對代工廠氮化鎵射頻器件建模參數(shù)提取與統(tǒng)計分析，采用碳化硅襯底上的氮化鎵（GaNonSiC）量產工藝制程。
1.針對450nm工藝制程，晶圓尺寸4吋，耗盡型器件，管芯尺寸不小于4種，流片批次不低于2次，每次流片晶圓不低于2片。
2.針對350nm工藝制程，晶圓尺寸4吋，耗盡型器件，管芯尺寸不小于4種，流片批次不低于2次，每次流片晶圓不低于2片。
3.溫度特性：典型值-20℃/25℃/120℃。
4.直流特性：柵壓范圍：-5V至+1V，漏壓范圍：0V至48V，脈沖占空比不低于20%。
5.射頻特性：6GHz頻段內，S11，S12，S21，S22小信號特性；OP1dB，IMD3大信號測試。
（二）項目交付件
1.代工廠現(xiàn)有傳統(tǒng)氮化鎵射頻器件建模參數(shù)提取工具軟件與創(chuàng)新建模EDA工具的流程及指標性能系統(tǒng)性對比報告。
2.上述軟件驗證性能與客戶展示時定制氮化鎵射頻器件1×50μm管芯（10只）與4×50μm管芯（10只），GSG間距150μm，電流密度1A/mm，工作電壓48V，GELPAK包裝。?
（三）執(zhí)行期限
2022年11月1日至2023年10月31日。
（四）擬資助經費
非定額資助，資助總經費不超過600萬。
方向三：可編輯邏輯陣列（FPGA）編譯工具時序驅動邏輯劃分技術驗證
面向時序敏感的復雜算法型芯片原型驗證需求，在實際目標設計過程中，驗證可編輯邏輯陣列（FPGA）編譯工具時序驅動劃分技術。通過反饋優(yōu)化，進一步提升原型驗證系統(tǒng)性能。
（一）考核指標
1.用于驗證此項技術的目標設計應為時序敏感的復雜算法型芯片，邏輯規(guī)模不小于300M等效邏輯門。
2.編寫工具編譯腳本，進行參數(shù)配置等各項調整，迭代優(yōu)化目標設計實現(xiàn)的面積和時序，發(fā)現(xiàn)工具潛在的3項以上的優(yōu)化方向、目標和可能。
3.通過目標設計對工具進行優(yōu)化，驗證時序驅動劃分在芯片設計上能提高原型驗證性能（包括但不限于最高工作頻率，片間延遲，板間延遲等）至少25%。
4.驗證100片可編輯邏輯陣列（FPGA）時序驅動的邏輯劃分，編譯時間少于1小時。
（二）項目交付件
1.目標設計在多可編輯邏輯陣列（FPGA）上實現(xiàn)的分析報告。
2.目標設計對驗證編譯工具特性的報告。
（三）執(zhí)行期限
2022年11月1日至2023年10月31日。
（四）擬資助經費
非定額資助，資助總經費不超過200萬。
方向四：基于人工智能（AI）驅動的電磁仿真算法加速技術
面向電子設計自動化（EDA）電磁仿真引擎對復雜結構多端口散射參數(shù)（S參數(shù)）的建模需求，在特定場景下，基于機器學習理論探索提高仿真引擎計算速度的方法，以期提高仿真效率，縮短用戶設計周期。
（一）考核指標
1.開發(fā)機器學習和電磁仿真引擎相結合的技術，計算500個變量的100個端口網絡在2000個頻點上的散射參數(shù)（S參數(shù)）。求解精度和不使用機器學習的流程相比，散射參數(shù)（S參數(shù)）全頻帶平均偏差在0.1%以內，最大誤差在1%以內。
2.求解速度和不使用機器學習的流程相比提高100倍，內存使用小于原流程。
（二）項目交付件
C++源代碼
（三）執(zhí)行期限
2022年11月1日至2023年10月31日。
（四）擬資助經費
非定額資助，資助總經費不超過100萬。
二、申報要求
除滿足前述相應條件外，還須遵循以下要求：
1.項目申報單位應當是注冊在本市的法人或非法人組織，具有組織項目實施的相應能力。
2.研究內容已經獲得財政資金支持的，不得重復申報。
3.所有申報單位和項目參與人應遵守科研倫理準則，遵守人類遺傳資源管理相關法規(guī)和病原微生物實驗室生物安全管理相關規(guī)定，符合科研誠信管理要求。項目負責人應承諾所提交材料真實性，申報單位應當對申請人的申請資格負責，并對申請材料的真實性和完整性進行審核，不得提交有涉密內容的項目申請。
4.申報項目若提出回避專家申請的，須在提交項目可行性方案的同時，上傳由申報單位出具公函提出回避專家名單與理由。
5.本批“揭榜掛帥”項目由市科委會同用戶單位共同組織開展受理、評審、立項、驗收等項目管理事項。采取通訊評審方式對揭榜項目進行擇優(yōu)遴選，相關事宜，另行通知。
三、申報方式
1.項目申報采用網上申報方式，無需送交紙質材料。申請人通過“中國上?！遍T戶網站--政務服務--點擊“上海市財政科技投入信息管理平臺”進入申報頁面，或者直接通過域名進入申報頁面：
【初次填寫】使用“一網通辦”登錄（如尚未注冊賬號，請先轉入“一網通辦”注冊賬號頁面完成注冊），進入申報指南頁面，點擊相應的指南專題，進行項目申報；
【繼續(xù)填寫】使用“一網通辦”登錄后，繼續(xù)該項目的填報。
2.項目網上填報起始時間為2022年9月28日9:00，截止時間（含申報單位網上審核提交）為至2022年10月20日16:30。
四、評審方式
采用一輪通訊評審方式。
上海市科學技術委員會
2022年9月20日
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來源：上海市科學技術委員會
