集成電路設(shè)計(jì)學(xué)習(xí)筆記(二)基于IC617反相器設(shè)計(jì)之原理圖繪制

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本文主要記錄在IC617中原理圖的繪制和schematic的使用方法。


新建library


要畫(huà)設(shè)計(jì)自己的集成電路,需要建一個(gè)自己的庫(kù),方便對(duì)自己設(shè)計(jì)文件的管理。

打開(kāi)library manager,fileNEWLibrary

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選擇庫(kù)的保存路徑,一般默認(rèn)即可,并在name中填入自己庫(kù)的名字。點(diǎn)ok

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彈出Technology File for New Library 窗口,選擇第三個(gè)Attach to an existing technology library ,點(diǎn)ok

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選擇smic18ee工藝庫(kù),點(diǎn)ok。在library manager中就可以看見(jiàn)自己的庫(kù)了。

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現(xiàn)在自己的庫(kù)是空的,需要自己新建cell。


新建cell


library managerfile菜單NEW選擇cell View

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Cell里填入自己cell的名字,在Type里選擇schematic.點(diǎn)ok,彈出原理圖繪制窗口。

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反相器原理圖繪制


說(shuō)一下常用快捷鍵

快捷鍵 作用
i 放置器件
p 放置Pin
l 加標(biāo)簽
c 復(fù)制
m 移動(dòng)
w 畫(huà)電氣線
shift+x save&check
q 查看與修改器件屬性

點(diǎn)原理圖空白處,按快捷鍵i

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彈出Add Instance 窗口,點(diǎn)Browes

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會(huì)彈出library manager窗口,選擇smic18ee的庫(kù)并選擇mosfets類,如果沒(méi)有Category這一欄,在左上角Show Categories前面的方框里打勾。

選擇p33e2r,其中p代表PMOS,33代表3.3V電壓,18代表1.8電壓 ,50 代表5V電壓,155代表15V電壓 。NMOS的nz代表低閾值電壓。我習(xí)慣用3.3V。大家可根據(jù)自己情況選擇MOS。

選中后,雙擊View欄的symbol

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器件參數(shù)設(shè)置,在這里,我們需要修改LengthTotal Width,寬長(zhǎng)可根據(jù)自己需要修改,也可不修改。我常設(shè)置Length為1u,可減小溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng),PMOS的寬長(zhǎng)比是NMOS的2.5倍左右,因?yàn)镻MOS是空穴導(dǎo)電,NMOS是電子導(dǎo)電。其他參數(shù),會(huì)在后面需要的時(shí)候介紹。

修改完成后,把鼠標(biāo)放到原理圖窗口,會(huì)有一個(gè)隨鼠標(biāo)動(dòng)的MOS,選擇一個(gè)位置,點(diǎn)一下,就可以放置了。

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隨后放置Nmos,

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可以直接在Cell里,把p改成n就行。也可以按PMOS的選擇方式,選擇。

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根據(jù)自己需要修改寬長(zhǎng)比。找位置放置,放置完成后按esc

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下面放置PIN,按快捷鍵p,

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彈出create Pin窗口,Names填入Pin的名字,Direction填入數(shù)據(jù)方向,Signal Type填入pin類型,這里一般不需要管,它會(huì)自己設(shè)置好的。放置四個(gè)pin。放置完成后,按ESC

name direction
out output
in input
vcc inputoutput
gnd inputoutput

放置完成如下圖所示。

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下面開(kāi)始連線,按快捷鍵w,開(kāi)始連線。要注意MOS襯底的連接。連接完成如下圖所示。

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按快捷鍵shift + x檢查和保存。無(wú)錯(cuò)誤,會(huì)在CIW中提示,保存完成。

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下面我們來(lái)生成symbol,方便以后在其他設(shè)計(jì)中調(diào)取使用。選擇create菜單,之后 依次選擇cellview,from cellview

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不需要修改,點(diǎn)ok即可,

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在上下左右放置pin,可根據(jù)自己需要修改放置位置,其他參數(shù)不需要修改。點(diǎn)ok。可得到下圖的symbol,在library manager中也可看到。

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到這里,反相器的原理圖繪制完成了。


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