半導(dǎo)體材料

第一代半導(dǎo)體材料：以硅為主
第二代半導(dǎo)體材料：砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)
第三代半導(dǎo)體材料：碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）

InP相比GaAs有更高的功率密度，在5G毫米波，次太赫茲頻段效果更優(yōu)。
GaAs耐高溫，抗輻射，發(fā)光效率高主要用于射頻，光電，LED

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