天線效應(yīng)的產(chǎn)生粗略的講就是金屬表面積累的電荷過多，但又無法形成對地的放電通路，結(jié)果很有可能是對柵氧造成破壞。由于現(xiàn)代工藝尺寸越來越先進，溝道長度越來越小，antena的問題就越來越受重視。通常，我們通過金屬跳線或者在poly-gate旁邊放置足夠面積的diode可以避免天線效應(yīng)的發(fā)生。但是金屬該往上跳還是往下跳呢？

我們都知道做mask的時候是從低層往高層做的。每一道工序都有諸如平坦化，隔離等，之后肯定會有靜電泄放的操作。從這個角度來說，假如metal3過大有antena的問題，我們用metal4對其跳線。在做metal3的mask時，metal3實際上分開的，只有做到metal4的時候他們才會連起來，而到metal4時，metal3的表面電荷已經(jīng)由于工藝過程減少很多了；而如果用metal2對其跳線，在做metal3時，metal2和metal3是會相連的，并沒有起到減少電荷的作用。

柵氧漏電，盡管對功耗不利，但對天線效應(yīng)是有利的。柵氧漏電可以防止電荷積累達到擊穿。所以，實際上可以看到薄的柵氧較厚柵氧不易發(fā)生損壞，因為當柵氧變薄，漏電是指數(shù)上升的，而擊穿電壓是線性下降的。

常用的三個避免天線效應(yīng)的方法

1 跳線，而且最好是往上跳線

2 增加對地反向偏置diode（二極管），

3 在信號線上加一組buffer，這個方法既可以規(guī)避antena，也可以為信號增加驅(qū)動能力

一般來說command file會定義檢查是否antena metal連到gate-poly上，還有是否面積過大。解決方法我建議是在靠近gate-poly的地方斷開metal用高層metal跳一下，當然這在drc中可能不太好查，所以drc一般規(guī)定在發(fā)生antena的metal上有一個N-diode，越靠近transistor越好。