生產(chǎn)情況反饋：
①Array in? Plan： 1180sh Act：1220sh
? Array out Plan： 600sh? Act: 605sh
②重點(diǎn)工序Movment：
PH Mov：7.5K：Down: PH04? LC異物檢知91Min；PH05 TK INDX DN 90Min；PH13曝光機(jī)滅燈 145Min；PH11? 曝光機(jī)碎片 ＞120Min；Loss：0.44K；
AL SP: 0.7K；SP07 PM ＞405Min；
Cu SP: 2.1K；SP09 Run 1G EN 195Min；
③生產(chǎn)問(wèn)題點(diǎn)：
a：PH14 8EK 1st ITO Mask Confirm 二次CD NG,目前第三次CD Split測(cè)試中＞11H；
b：1/28 PH10 Cleaner Brush步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器損壞412min，11.45 RF VIA Mask confirm進(jìn)度Delay 3H，目前第一遍CD NG ,第二遍進(jìn)行中＞3H，2款Confirm關(guān)注
④Array N9/11DQ進(jìn)度：
a:14PJ:①因12.71G/14PK EN IGZO Anneal沖突Delay 2D ②GI Etch與12.71G/14PK GI Etch沖突 Delay 1D，目前先行Buffer Dep，Main Lot：SD Dep/Mask持續(xù)對(duì)應(yīng)無(wú)異常；
b:11DQ ：先行GI Strip進(jìn)行中, Main: IGZO/GI層正常進(jìn)行，無(wú)異常；
