計(jì)算機(jī)硬件基礎(chǔ)
第一次學(xué)習(xí)使用markdown格式文本 單純寫一遍課后習(xí)題 并非全面復(fù)習(xí)
第五章 存儲(chǔ)器系統(tǒng)
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器組成：存儲(chǔ)器，地址選擇電路存儲(chǔ)器
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分類
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RAM
只讀存儲(chǔ)器 ROM
常用的地址譯碼方式
單譯碼方式 全部地址碼只用一個(gè)地址譯碼器電路譯碼
雙譯碼方式 地址碼分為X和Y，分別譯碼
常用虛擬存儲(chǔ)器尋址由主存和外存組成，通過(guò)
設(shè)有一個(gè)具有13位地址和8位字長(zhǎng)的存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)器能存儲(chǔ)字節(jié)數(shù)=2^13=8192
如果由1K x 4位RAM芯片組成，需要設(shè)計(jì)(8K/1K) *(8/4) = 16片
設(shè)高位地址數(shù)x，因?yàn)橛?6片,但是由2片芯片組成才是8位，所以系統(tǒng)有8個(gè)部分，所以2^x >= 8，所以x>=3,所以要3個(gè)高位地址作為片選譯碼
有13根地址線所以選最高位3位，A12,A11,A10作為產(chǎn)生片選地址信號(hào)。
下列RAM芯片需要多少條地址線尋址，需要多少條IO線
512K4位, 512 = 2^9, 所以需要19條地址線，4條數(shù)據(jù)線
1K4位, 10條地址線, 4條數(shù)據(jù)線
分別用1024*4位和4K*2位芯片構(gòu)成64KB的隨機(jī)存儲(chǔ)芯片，各需多少片?
(64K/1K)(8/4)=128片
(64/4K)(8/2)=64片
靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM:由MOS管組成的RS觸發(fā)器，工作速度快，電源不撤除，信息不消失。一經(jīng)寫入多次讀出。集成度低，功耗大。一般用做Cache。
動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM:用電容保存信息，集成度高，功耗低。但是電容內(nèi)的信息隨著漏電會(huì)逐漸消失，一般保存時(shí)間為2ms，必須每隔1~2ms刷新一次。一般用做主存儲(chǔ)器。
5122B的RAM芯片，組成8KB的存儲(chǔ)容量。
需要164=64片，需要16個(gè)芯片組，8KB需要13根地址線(213=8k)，每塊芯片需要9根地址線(29=512)
8086系統(tǒng)中，存儲(chǔ)器的高低位庫(kù)與CPU連接時(shí)應(yīng)注意的問(wèn)題
- 位擴(kuò)展都是通過(guò)各個(gè)芯片的地址線和控制線分別并聯(lián)在一起實(shí)現(xiàn)的
- ROM，PROM，EPROM都可以直接與8086系統(tǒng)總線連接，通過(guò)片選信號(hào)，CS1,CS2直接控制高低位庫(kù)的芯片。
- 靜態(tài)RAM芯片中，作為低位庫(kù)的芯片的I/O引線和數(shù)據(jù)總線D7-D0相連，作為高位庫(kù)的芯片的I/O引線和數(shù)據(jù)總線D15-D8相連。利用A0與BHE對(duì)偶數(shù)地址的低位庫(kù)和奇數(shù)地址的高位庫(kù)進(jìn)行選擇。
存儲(chǔ)器讀周期和寫周期的區(qū)別
- 在讀周期中，先送上地址碼，然后送上讀出信號(hào)，使R/W=1,片選信號(hào)CS=0,打開(kāi)緩沖寄存器的三態(tài)門，將信息送至DB上。
- 在寫周期中，先講數(shù)據(jù)送上DB總線，再送上寫信號(hào)，使R/W=0,片選信號(hào)CS=0,打開(kāi)三態(tài)門，使DB上的數(shù)據(jù)進(jìn)入輸入電路，寫入存儲(chǔ)單元。
存儲(chǔ)器的分層結(jié)構(gòu)
