院系介紹
北京大學(xué)信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院具有悠久的歷史，最早可以追溯到上世紀(jì)50年代數(shù)學(xué)力學(xué)系的計(jì)算數(shù)學(xué)專業(yè)和物理系的無線電物理、電子物理、半導(dǎo)體物理專業(yè)。
1958年12月，在物理系無線電物理、電子物理等專業(yè)基礎(chǔ)上成立了無線電電子學(xué)系，1996年更名為電子學(xué)系；
1978年，在數(shù)學(xué)系計(jì)算數(shù)學(xué)專業(yè)和無線電電子學(xué)系計(jì)算機(jī)專業(yè)基礎(chǔ)上組建了計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系；
1985年，由數(shù)學(xué)系、計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系、電子學(xué)系等校內(nèi)十個系（所）聯(lián)合組建了信息科學(xué)中心；同年，成立了微電子學(xué)研究所。
學(xué)院學(xué)科建設(shè)覆蓋計(jì)算機(jī)科學(xué)與技術(shù)、電子科學(xué)與技術(shù)、信息與通信工程、軟件工程4個一級學(xué)科，其中計(jì)算機(jī)科學(xué)與技術(shù)、電子科學(xué)與技術(shù)為國家重點(diǎn)一級學(xué)科，計(jì)算機(jī)軟件與理論、計(jì)算機(jī)應(yīng)用技術(shù)、物理電子學(xué)、微電子學(xué)與固體電子學(xué)、通信與信息系統(tǒng)為國家重點(diǎn)二級學(xué)科。
按2013年度US News的評價體系，北京大學(xué)“電子工程”學(xué)科排名第36位，“計(jì)算機(jī)科學(xué)”學(xué)科排名第35位；按ESI的評價體系，北京大學(xué)的“計(jì)算機(jī)科學(xué)”、“工程”學(xué)科均進(jìn)入全球研究機(jī)構(gòu)的1%。2015年QS全球大學(xué)學(xué)科排名，在計(jì)算機(jī)科學(xué)與信息系統(tǒng)學(xué)科中，北京大學(xué)名列第36位，為中國大陸高校之首。
考試科目
招生專業(yè)及方向
080903微電子學(xué)與固體電子學(xué)
01.微納電子器件及集成技術(shù)(ULSI)
02.系統(tǒng)集成芯片(SOC)設(shè)計(jì)及設(shè)計(jì)方法學(xué)
03.微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)
04.寬禁帶半導(dǎo)體器件及集成技術(shù)
參考書目推薦
912半導(dǎo)體物理：
《半導(dǎo)體物理學(xué)（第7版）》，劉恩科、朱秉升、羅晉生，電子工業(yè)出版社，2011-03
《半導(dǎo)體物理與器件（第4版）》，尼曼，電子工業(yè)出版社；
934數(shù)字與模擬電路：
《電子技術(shù)基礎(chǔ)（模擬部分）》(第5版)，華中科技大學(xué)電子技術(shù)課程組、康華光，高等教育出版社，2006-01；
《電子技術(shù)基礎(chǔ)（數(shù)字部分）》(第5版)，華中科技大學(xué)電子技術(shù)課程組、康華光，高等教育出版社，2006-01。
政治：《政治新石器》
英語：《一本單詞》《木糖英語真題手譯版》蛋核英語寫作和閱讀
歷年復(fù)試招生情況
2020年復(fù)試線：55/55/90/90/310，統(tǒng)考錄取2人，初試最高分364，最低分354；
2019年復(fù)試線：55/55/90/90/375，統(tǒng)考錄取2人，初試最高分398，最低分390；
2018年復(fù)試線：50/50/90/90/310，統(tǒng)考錄取6人，初試最高分383，最低分355；
20考研復(fù)試細(xì)則
1、復(fù)試基本內(nèi)容：包括專業(yè)知識、科研能力、邏輯思維與表達(dá)能力、英語聽力及口語測試等。
2、成績權(quán)重：初試成績占總成績的50%，復(fù)試成績占總成績的50%。
3、外語聽力及口語測試均在復(fù)試中進(jìn)行，成績計(jì)入復(fù)試總成績。
4、總成績計(jì)算公式：總成績=50%×初試總成績/5+復(fù)試成績(百分制)×50%。
5、復(fù)試成績滿分為100分,60分及格,不及格的考生不予錄取。各專業(yè)擬錄取名單根據(jù)專業(yè)招生名額依總成績名次擇優(yōu)錄取。
21備考指導(dǎo)及專業(yè)課經(jīng)驗(yàn)分享
主要講講912半導(dǎo)體物理的復(fù)習(xí)，912的考試內(nèi)容在2020之前為六個名詞解釋和五道大題，2020年變?yōu)槲宓来箢}，但其實(shí)關(guān)于名詞解釋的部分還是會穿插在大題之中。
第一輪復(fù)習(xí)要認(rèn)真過一遍參考書，將所有知識學(xué)習(xí)一遍，起碼要做到不陌生，重要的地方一定要深入理解。
第二輪的時候?qū)⒄骖}按照不同章節(jié)認(rèn)真過一遍，并結(jié)合歷年真題對書本進(jìn)行第二次的回顧。對于書本上重要的公式要熟練掌握其推導(dǎo)過程（一定要自己動手推導(dǎo)?。锌梢蚤]上書根據(jù)其原理輕松推導(dǎo)出公式的能力，公式一定不只是記憶，知道它的來龍去脈才是關(guān)鍵。
名詞解釋也要開始總結(jié)并背誦了，真題上的名詞解釋以及簡答題可能在劉恩科的書上會找不到，可以參考孟慶巨的《半導(dǎo)體物理簡明教程》及尼曼的《半導(dǎo)體物理與器件》。
11月到考前主要建議將真題按照年份掐時間做，真題上的知識點(diǎn)一定要全部掌握，這是我們可以拿到一個不錯的分?jǐn)?shù)的關(guān)鍵。
關(guān)于專業(yè)課、學(xué)長有話說：?
（1）書本教材是重中之重，所有考題都源于書本。不要放過任何一個細(xì)節(jié)，把所有可考內(nèi)容都存入大腦，按重要性排個序，重復(fù)再重復(fù)，直到不能更熟悉的程度。
（2）手中現(xiàn)成的資料、筆記再多，也只是參考而已，其主要作用在于提綱契領(lǐng)，幫助我們掌握復(fù)習(xí)方向和重點(diǎn)。建議閱讀有價值的資料，在教材和資料的基礎(chǔ)上形成自己的個人筆記，將書本資料內(nèi)化為邏輯思維能力和分析能力。多看多背多拓展多記憶。
（3）在條件允許的情況下，或者在選購專業(yè)課資料時，最好找在讀的研究生學(xué)長學(xué)姐咨詢一下，如果找不到可以報(bào)新祥旭的一對一輔導(dǎo)班，學(xué)長之前報(bào)得這個機(jī)構(gòu)，老師是真的很靠譜。他們的經(jīng)驗(yàn)和指導(dǎo)對復(fù)習(xí)有非常重要的作用，能真正幫助你解決問題。一方面，你能快速地知道知識重點(diǎn)，架構(gòu)起知識體系；另一方面，你也會學(xué)到一些答題技巧和案例分析題的方法，少走彎路
2018年北大912真題回憶
一、名詞解釋
受主、雪崩擊穿、異質(zhì)結(jié)、費(fèi)米釘扎（還有兩個記不清了，歷年真題中可以找到）
二、半導(dǎo)體A、B的電導(dǎo)率-溫度曲線如下
1.說明A、B半導(dǎo)體的類型，并說明原因
2.A、B分別產(chǎn)生如下曲線的機(jī)制是什么
三、題干給出了兩種材料（n型Eg較窄，p型Eg較寬）的能帶圖，畫出這兩種材料形成異質(zhì)結(jié)后在如下情形的能帶圖
1.無外加偏壓
2.施加反向偏壓Va
四、p-mos管（n型襯底）中，Wm<Ws，SiO2層厚度及介電常數(shù)已知，
SiO2層中存在以密度為常數(shù)ρ的電荷分布
1.寫出平帶電壓表達(dá)式
2.畫出平帶時的能帶圖
五、PN結(jié)P型區(qū)及N型區(qū)均均勻摻雜，濃度為Na，Nd
1.算出施加正向偏壓Va時p區(qū)邊界少子濃度
2.畫出正偏時I-V曲線
3.Na，Nd很小時，I-V曲線與理想曲線有什么區(qū)別
六、同時在Si中摻入Na，Nd，Na>Nd
1.寫出電荷守恒表達(dá)式
2.寫出低溫區(qū)Ef與T的關(guān)系
3.示意在能帶圖中畫出Ef隨T的變化曲線
