Crosstalk

1. Crosstalk概述

1.1 Crosstalk 定義

串?dāng)_(crosstalk)噪聲是指兩個或多個信號之間無意間的耦合,會對芯片功能Function和內(nèi)部時序Timing產(chǎn)生影響。

1.2 Crosstalk分析的必要性

金屬層數(shù)量的增加:例如,一個0.25um或0.3um的工藝具有四個或五個金屬層,而在65nm和45nm工藝中增加到了10層metal或者更多metal層。

垂直占主導(dǎo)地位的金屬長寬比:這意味著走線既細(xì)又高,與早期工藝幾何形狀中比較寬不同。因此,較大比例的電容是由側(cè)壁耦合電容組成的,該側(cè)壁耦合電容即為相鄰信號線之間的走線間電容。

更高的布線密度:由于具有更精細(xì)的幾何形狀,更多的金屬線可以在物理上緊密相鄰。

大量的交互設(shè)備和互連線:在同一硅片面積中封裝了更多的標(biāo)準(zhǔn)單元和信號走線,從而導(dǎo)致更多的交互。

頻率變高導(dǎo)致波形切換加快:快速的邊沿速率會導(dǎo)致更多的電流尖峰以及對相鄰走線和單元的更大耦合效應(yīng)。

較低的電源電壓:電源電壓的降低使得噪聲裕量較小。

1.3 Crosstalk的影響

Glitch: 毛刺是指由于相鄰攻擊者電平切換的耦合而在穩(wěn)定受害者信號上產(chǎn)生的噪聲;

Timing: 時序變化由于受害者電平切換與攻擊者電平切換的耦合而導(dǎo)致的(串?dāng)_增量延遲)。

2. Glitch of Crosstalk分析

2.1 glitch產(chǎn)生原因

上圖中UNAND0的輸出上升沿,通過耦合電容Cc將干擾傳導(dǎo)到Victim net上,產(chǎn)生glitch。該glitch的幅度取決于以下常見因素:

耦合電容Cc的大?。涸撾娙菰酱?,glitch幅度越大;

干擾源(Aggressor)的壓擺(slew):slew越快,glitch幅度越大,一般而言,slew率是與干擾源的驅(qū)動能力成正比的;

被干擾網(wǎng)絡(luò)(Victim net)的接地電容Cgnd:該電容越大,glitch幅度越?。?/p>

被干擾網(wǎng)絡(luò)(Victim net)的驅(qū)動強(qiáng)度:其驅(qū)動能力越強(qiáng),glitch幅度越小。

但是以下情況的glitch需要注意:

時序邏輯(flip-flops or latches)或memories,其clock和復(fù)位、置位信號要特別注意glitch的影響。

寬的glitch信號通過組合邏輯傳播到時序邏輯,也會到時功能出錯。

2.2 glitch類型

Glitch類型干擾源(aggressor)被干擾(Victim)net電平

Rise-glitch上升沿低電平

Fall-glitch下降沿高電平

Overshot-glitch上升沿高電平

Undershot-glitch下降沿低電平

2.3 glitch傳播

Glitch是否可以通過fanout往后傳播,取決于直流DC和交流AC的閾值。

DC閾值

下圖6-4想必大家都很熟悉了,VILmax和VIHmin也稱為DC閾值極限,基于VIH和VIL的DC閾值是穩(wěn)態(tài)噪聲極限,因此可以用作確定毛刺是否會通過扇出單元傳播的判斷依據(jù)。

下圖6-5給出了DC閾值極限的例子,

DC噪聲margin僅使用恒定的最差高度值(worst-case value),而與信號噪聲寬度無關(guān),如圖6-6所示。

2. AC閾值

對于給定的單元,增加輸出負(fù)載會增加噪聲容限,因為這會增加慣性延遲和可以通過單元的毛刺寬度,下面的示例說明了這種現(xiàn)象。

圖6-8(a)為一個未加負(fù)載的反相器,輸入毛刺高于單元的直流裕量,因此會在其輸出端引起毛刺。

圖6-8(b)為上述反相器輸出端有一定負(fù)載。此時相同的輸入毛刺會導(dǎo)致輸出端的毛刺小很多。

圖6-8(c)為負(fù)載更重,則反相器單元的輸出將沒有任何毛刺。

因此,增加輸出端的負(fù)載可使單元更加能夠抵抗從輸入端傳播到輸出端的噪聲。

在cell lib文件中,抗擾度模型(noise immunity model)包括上述AC噪聲抑制的影響。propagated_noise模型除了對通過單元的傳播進(jìn)行建模外,還包括了AC噪聲閾值的影響。

index_1:輸入毛刺幅值

index_2:輸入毛刺寬度

index_3:CCB輸出電容

index_4:時間

表格中的數(shù)值指定了CCB輸出電壓(或通過CCB傳播的噪聲)

2.4 多干擾源的噪聲累積

大多數(shù)由干擾源引起的耦合分析都考慮了每個干擾源引起的毛刺效應(yīng),并計算了對被干擾網(wǎng)絡(luò)的累積效應(yīng),這看起來很保守,但這確實(shí)表明了被干擾網(wǎng)絡(luò)的最壞情況。另一種方法是使用RMS(均方根)方法,使用RMS方法時,是通過單個干擾源引起的毛刺的均方根來計算被干擾網(wǎng)絡(luò)的毛刺幅度的。

原文鏈接:Crosstalk and Noise:學(xué)習(xí)筆記2—《Static Timing Analysis for Nanometer Designs》 - 知乎 (zhihu.com)

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