中文全稱：屏蔽柵溝槽。英文全稱：Shield Gate Trench。 海飛樂技術(shù)屏蔽柵/分立柵MOSFET技術(shù)(Shield Gate Trench MOSFET)，MOS器件第一個深溝槽(Deep Trench)作為“體內(nèi)場板”在反向電壓下平衡漂移區(qū)電荷，這樣可以降低漂移區(qū)的電阻率，從而降低器件的比導(dǎo)通電阻(RSP)和柵極電荷(Qg)。第二個源極溝槽(Source Trench)作為有源區(qū)接觸電極，該設(shè)計能減小原胞尺寸(Pitch Size)和改善器件比導(dǎo)通電阻，有利于提高器件高溫、大電流能力及EAS能力。第三個柵極溝槽(Gate Trench)作為有柵極接觸電極，該設(shè)計能優(yōu)化器件MOS工藝流程，降低產(chǎn)品生產(chǎn)成本，同時提高產(chǎn)品良率。