當(dāng)半導(dǎo)體受到外界光和熱的激勵(lì)時(shí)，其導(dǎo)電能力將發(fā)生顯著變化！

在純凈的半導(dǎo)體中加入微量雜質(zhì)時(shí)，其導(dǎo)電能力也將發(fā)生顯著變化！

硅：四價(jià)元素，最外層軌道上有4個(gè)電子（價(jià)電子），由于原子呈電中性，所以硅原子簡化模型：+4加圓圈表示，周圍圍繞著4個(gè)價(jià)電子。半導(dǎo)體的導(dǎo)電性與價(jià)電子有關(guān)。

硅的二維晶格結(jié)構(gòu)

本征半導(dǎo)體：

在室溫（300K）條件下，被共價(jià)鍵束縛的價(jià)電子就會(huì)獲得足夠的隨機(jī)熱振動(dòng)能量而掙脫共價(jià)鍵的束縛，成為自由電子，形成電子-空穴對(duì)。

在外電場E的作用下，會(huì)發(fā)生電子和空穴的遷移，但自由電子在遷移的過程中，仍然處于束縛狀態(tài)，因而可用空穴移動(dòng)產(chǎn)生的電流來代表束縛電子移動(dòng)產(chǎn)生的電流。運(yùn)動(dòng)的空穴是虛擬出來的，可以將空穴看成是一種帶正電荷的粒子。

能級(jí)-禁帶寬度

雜質(zhì)半導(dǎo)體：

P型半導(dǎo)體（Positive）：參雜少量三價(jià)元素（如：硼，銦，鋁），受主雜質(zhì)（P型雜質(zhì)），產(chǎn)生空穴，以空穴導(dǎo)電為主（多載子）。

????????? 總空穴濃度 = 離子化的受主原子濃度 + 少子電子濃度?????????? （剩余電荷濃度必為零）

P型半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)

N型半導(dǎo)體（Negative）：參雜少量五價(jià)元素（如：磷，砷，銻），施主雜質(zhì)（N型雜質(zhì)），產(chǎn)生電子，以自由電子為主（多載子）。

????????????????????????? 總自由電子濃度 = 離子化的施主原子濃度 + 少子空穴濃度????????????? （保持材料的電中性）

N型半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)

一定溫度條件下，N型半導(dǎo)體中，空穴濃度與電子濃度的乘積為一常數(shù)（本征材料中空穴濃度和電子濃度的乘積）。