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濕法腐蝕的優(yōu)點在于可以控制腐蝕液的化學(xué)成分，使得腐蝕液對特定薄膜材料的腐蝕速率遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于其他材料的腐蝕速率，從而提高腐蝕的選擇性。但是，由于濕法腐...
在濕法腐蝕的過程中，通過使用特定的熔液與需要腐蝕的薄膜材料進行化學(xué)反應(yīng)，進而除去沒有被光刻膠覆蓋區(qū)域的薄膜。 濕法腐蝕的優(yōu)點是工藝簡單，但是在濕...
經(jīng)過刻蝕或者離子注入之后，已經(jīng)不再需要光刻膠作為保護層，因此可以將光刻膠從硅片的表面除去，這一步驟簡稱為去膠。在集成電路工藝中，去膠的方法包括濕...