濕法腐蝕的優(yōu)點在于可以控制腐蝕液的化學成分，使得腐蝕液對特定薄膜材料的腐蝕速率遠遠大于其他材料的腐蝕速率，從而提高腐蝕的選擇性。但是，由于濕法腐蝕的化學反應是各向同性的，因而...
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半導體光刻工藝之刻蝕——干法刻蝕
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半導體光刻工藝之刻蝕——濕法腐蝕
在濕法腐蝕的過程中，通過使用特定的熔液與需要腐蝕的薄膜材料進行化學反應，進而除去沒有被光刻膠覆蓋區(qū)域的薄膜。 濕法腐蝕的優(yōu)點是工藝簡單，但是在濕法腐蝕中所進行的化學反應沒有特...
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半導體光刻工藝之去膠
經(jīng)過刻蝕或者離子注入之后，已經(jīng)不再需要光刻膠作為保護層，因此可以將光刻膠從硅片的表面除去，這一步驟簡稱為去膠。在集成電路工藝中，去膠的方法包括濕法去膠和干法去膠，在濕法去膠中...
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