發(fā)簡信
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第一章 半導(dǎo)體物理與性質(zhì)綜述---①
1.1介紹 半導(dǎo)體器件的物理本質(zhì)上依賴于（naturally dependent on）半導(dǎo)體材料本身的物理性質(zhì)。本章對半導(dǎo)體的基本物理和性質(zhì)進(jìn)...
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第二章 載流子輸運(yùn)現(xiàn)象
2.1 載流子漂移 遷移率：表示單位場強(qiáng)下帶電子的平均漂移速度（溫度、載流子濃度對其有影響） 晶體周期勢的影響被記入傳到電子的有效質(zhì)量中，與自由...
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第一章 能帶和熱平衡載流子濃度1.1 半導(dǎo)體材料 硅器件在室溫下有較佳的特性，且高品質(zhì)的硅氧化層可由熱氧化的方式生長，價(jià)格低廉，豐度僅次于氧，工藝發(fā)展最為完善。 砷化鎵適用于...